Контрольная работа № 10559. Физические основы электроники

Содержание

1. Определите: 1) энергию Ферми для кристалла серебра;
   2) вероятность того, что электрон в кристалле серебра имеет энергию 5,0 и 5,6 эВ при Т = 1000 К.
2.  Кремний n-типа, находящийся в состоянии термодинамического равновесия при 300 К имеет удельное сопротивление 5 Ом×см, подвижность электронов 1600 см2 В-1 с-1,подвижность дырок 600 см2 В-1 с-1,собственная концентрация носителей 1,4×1010 см-3.Определить концентрацию электронов и дырок.
3. Вычислить для температуры 300К контактную разность потенциалов p-n-перехода, сформированного в фосфиде индия, если равновесные концентрации основных носителей заряда в p- и n- областях одинаковы и равны 1017 см-3, а собственная концентрация ni=1013см-3. Определить толщину слоя объемного заряда.
4.   Термистор из собственного кремния имеет сопротивление R=600 Ом при температуре 300 К. Вычислите его сопротивление при температуре 325 К, предполагая, что ширина запрещенной зоны для кремния 1,12 эВ и что подвижности носителей заметно не изменяются в этом интервале температур.
5. Изобразите энергетические диаграммы контактов металл-полупроводник при различных отношениях работы выхода электронов из металла (Ам) и из полупроводника (Аn) для случаев:
   а) полупроводник n-типа, Ам> Аn ;
   б) полупроводник n-типа,Ам< Аn. В каких случаях в  полупроводнике образуются обедненные носителями заряда слои, а в каких – обогащенные? Что такое барьер Шотки?

Установлено, что при повышении температуры полупроводника коэффициент Холла не изменяется, тогда как его удельное сопротивление несколько возрастает, но при некоторой более высокой температуре обе величины резко уменьшаются. Объясните такое поведение полупроводника, а также что будет происходить, если образец охлаждать, а не нагревать.

Общий объем: 11 стр.

Год: 2017

Цена: 500 руб.