Электроника и микропроцессорная техника

Интегральное исполнение элементов электронных устройств

Интегральное исполнение элементов электронных схем реализовано для многих пассивных и особенно активных элементов. Приведём основные термины и определения характерные для микроэлектронных изделий:

ИС (ИМС) – микроэлектронное изделие,  выполняющее определённую функцию преобразования, обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединённых элементов в едином корпусе.

Твёрдотельная (полупроводниковая) ИС – микроэлектронное изделие ,содержащее только интегральные компоненты.

Гибридная ИС — микроэлектронное изделие, содержащее как интегральные так и дискретные элементы.

Кристалл ИС – полупроводниковая пластина, в объёме и на поверхности которой сформированы элементы , межэлементные соединения и контактные площадки.

Подложка ИС – заготовка, предназначенная для размещения элементов гибридных ИС, соединений,  контактных площадок.

Контактная площадка – металлизированный участок на подложке или кристалле, служащий для подсоединения выводов, перемычек и т.п.

Корпус ИС – часть конструкции ИС, предназначенная для защиты от внешних воздействий и соединения с внешними цепями, применяются 4 вида корпусов: пластмассовый, металло-стеклянный, металло-керамический,  стекло-керамический.

Шаг выводов корпуса – стандартизированное расстояние между выводами корпуса ИС.

Ключ – конструктивная особенность, позволяющая выделить вывод N1.

Плотность упаковки – отношение числа компонентов к объёму ИС.

Степень интеграции – десятичный логарифм числа элементов ИС К=lg N

Серия ИС – совокупность ИС единого технологического исполнения и совместимых между собой по уровням питающих напряжений, напряжений сигналов и другим параметрам.

БИС – большие ИС (К>3).

СБИС – сверхбольшие ИС (К>5).

Классификация ИС:

По  технологическому признаку: полупроводниковые (цифры 1,5…),гибридные (цифры 2,4….),прочие (3..).

По функциональности — 20 групп с двухбуквенными обозначениями, например, НД-набор диодов, ГС-генераторы гармонических сигналов, УД-операционные усилители, ЛА-логический элемент И-НЕ и т.д.

Пример обозначения ИС в документации: КР 198 НТ 1А –ИС широкого применения (К), пластмассовый корпус (Р), полупроводниковая (1), номер разработки (98), набор транзисторов (НТ), набор и особенности параметров (1А).

Буквенные обозначения на принципиальных схемах: ДА – аналоговые ИС (работающие с сигналами, меняющимися по закону непрерывной функции), ДД – цифровые (работающие с двоичными логическими сигналами).